Транзистор КТ815 (А)

Транзистор КТ815 (А)

Исходя из технических характеристик серия биполярных транзисторов КТ815, они изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. В её состав входит несколько групп устройств, в основном отличающихся между собой предельно возможным пропускаемым напряжением между контактами коллектора и эмиттера.

Это кремниевые, низкочастотные устройства большой мощности имеющие n-p-n-структуру. Их можно с уверенностью назвать одними из самых распространенных транзисторов в электротехнике советских времен до 1990 года. Они широко использовались в линейных и ключевых схемах, применялись в устаревших отечественных усилителях (например «Одиссей У-10», «Вега 10У-120»), различных преобразователях и импульсных приборах.

  1. Распиновка
  2. Технические характеристики
  3. Электрические
  4. Комплементарники
  5. Аналоги
  6. Маркировка
  7. Содержание драгметаллов КТ815
  8. Меры безопасности
  9. Производители

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада – индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы – площадью от 75 кв.см.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

Кт815 аналог

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Популярные материалы

Комментарии

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Корпус:

Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо — Обратный ток коллектора
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Хорошие транзюки.В блоки питания сую их,пробовал грузить их до 2ампер,держат но не все.Некоторые сгорают.Но на 1.8ампера при радиаторе 350кв.см простоял под нагрузкой 4.5часа,температура 78с°…не сгорел,все о.к.Так что транзюки эти хорошие.

В последнее время минский «Интеграл» начал выпуск этих транзисторов в корпусе для поверхностного монтажа КТ-89 (он же TO-252/DPAK). Но встретить такое пока можно не часто.

Внутреннее содержание пока неожиданностей не преподнесло. КТ814:


(фото с форума Радиокартинки)


(фото с форума Радиокартинки)

1. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
2. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя.- Киев: «Наукова думка», 1981.
3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981
4. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982.
5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп.- К.: Технiка, 1984.
6. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Б. А. Бородин, В. М. Ломакин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1985.
7. Нефедов Л. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985.
8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, — М.: Энергоатомиздат, 1985.
9. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справ. радиолюбителя / В. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов.— 3-е изд., перераб. и доп.- Киев: «Наукова думка», 1987.
10. Транзисторы: Справочник/ О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев — М.: Радио и связь, 1989.— (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1144)
11. Нефедов А. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 3-е изд., перераб. и доп.— М.: Радио и связь, 1990. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1154).
12. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том XVIII. Транзисторы. Издание второе. — Министерство электронной промышленности СССР.
13. Аксенов А. И. и др. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы: Справочник / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А. М. Юшин.— М.: Радио и связь, 1992. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1190).

Читайте также  Станина станка

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Замена транзисторов биполярных и полевых

В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам . Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного.

Биполярный и полевой транзистор

Биполярные транзисторы.

Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы – частота, напряжение, ток. Начнем подбор по быстродействию транзистора, то есть рабочей частоте транзистора. При этом граничная fгр. МГц (эта та на которой его коэффициент усиления равен единице) частота транзистора должна быть больше реальной частоты на которой работает устройство, желательно, во много раз. После подбора по частоте, производим выбор по допустимой мощности, иными словами ток коллектора транзистора должен превышать максимальный ток в первичной цепи. Далее подбираем транзистор по допустимому напряжению эмиттер-коллектор, которое также должно превышать максимальное прикладываемое к транзистору напряжение в любой момент времени. Коэффициент усиления: известно, что ток коллектора у биполярного транзистора с током базы связан через параметр h21. Проще говоря, ток коллектора больше тока базы в h21. Из этого можно сделать вывод, что лучше применять транзисторы значение этого параметра у которых как можно больше. Это позволит повысить КПД за счет снижения затрат на управление транзисторами, да и потом, транзистор с большим значением этого параметра проще ввести в режим насыщения. Далее чтобы меньше мощности потерять на транзисторе (при этом он будет меньше греться), нужно чтобы его напряжение насыщения (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии) было как можно меньше, ведь мощность выделяемая на транзисторе, равна произведению тока, протекающего через него, и падению напряжения на нем и еще, максимальная мощность рассеяния коллектора (приводится в справочнике) должна быть не меньше реально выделяемой, иначе транзистор не справится (мгновенно выйдет из строя). В статье «Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена» я уже описывал приемы замены транзисторов .

Полевые транзисторы.

Преимуществ перед биполярными у них много, а самое главное, цена ниже. Наиболее важные преимущества полевых транзисторов, на мой взгляд следующие:

  1. Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.
  2. В полевых транзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью.
  3. Повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока.

Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число полевиков без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассиметрирования токов, что очень опасно для биполярных транзисторов. Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности.

Что касается подбора транзисторов для замены, то порядок примерно тот же самый, т е быстродействие затем мощность. Напряжение исток-сток также выбирается из тех же соображений, что и для биполярных, максимальный ток стока также выбирается с запасом, здесь это выбрать гораздо проще, т к полевые транзисторы имеют довольно большие допустимые токи стока и их разнообразие очень большое, чего не скажешь про биполярные — биполярные транзисторы с током коллектора больше 20 А, это уже редкость. Полевые транзисторы не имеют напряжения насыщения, у них есть аналогичный параметр — сопротивление открытого канала, у транзисторов с допустимым напряжением до 150 В оно составляет десятки миллиом, у более высоковольтных — омы. Чем меньше значение этого сопротивления, тем ближе параметры транзистора к идеальным и тем меньше потери. Мощность потерь (рассеяния) в открытом состоянии определяется как квадрат тока умноженный на сопротивление открытого канала. Естественно, чем меньше будет это значение, тем меньше будет транзистор греться. Аналог параметра h21 у полевого транзистора это крутизна характеристики. Этот параметр связывает между собой ток стока и напряжение на затворе, иными словами ток стока определяется как произведение напряжения на затворе и крутизны характеристики транзистора. Как правило ключевые транзисторы имеют большую крутизну характеристики. Еще у этого вида транзисторов есть так называемое порговое напряжение на затворе — это минимальное значения управляющего напряжения достаточное для введения транзистора в абсолютно открытый режим (насыщение). При подборе необходимо учитывать, чтобы минимальное напряжение на затворе не было ниже порогового, иначе вся мощность будет выделяться на транзисторе а не на нагрузке, т к он не полностью открыт. Такой режим работы, как правило, транзисторы не выдерживают — после включения выгорают с небольшой (или большой) задержкой. Параметр мощность рассеяния коллектора для биполярного транзистора имеет аналогичный для полевого — мощность рассеяния стока. Параметры абсолютно идентичны.

Активней пользуйтесь справочниками и интернетом, информации по параметрам транзисторов сейчас достаточно.

Высоковольтные -p- составные биполярные мощные транзисторы КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

КТ8ХА(1):
КТ — транзистор кремниевый биполярный;
8 — обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
Х — порядковый номер разработки (34; 48; 90);
А — классификационная группа по параметрам;
1 — конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43А-2).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А — аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.

Граничное напряжение, В

I K =0,1 А
L K =40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

I КЭR =3 мА
R БЭ :
100 Ом – КТ834А;
1000 Ом – КТ848А

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

I ЭБО =0,05 А
I К =0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

Максимально допустимая импульсная энергия, мДж

I K =10 А
L K =5 мГн

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

I K =8 А
L K =10 мГн

Максимально допустимая температура перехода, ° С

* Температура корпуса 25 ° С

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения *
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
U КЭО гр 400 350 U КЭR mах 500 520 U ЭБО mах 5 I K mах 15 20 _
I K, имп mах 20 15 20
I Б mах 3,5 1
I Б, имп mах 5
p K mах 100 87 100 60 E ИМП mах 250 E ВП mах 320 T П mах 150

Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, при:
заданном сопротивлении в цепи базы-эмиттер:
типовой
максимальный

U КЭR :
500 В – КТ834А;
520 В – КТ848А
R БЭ :
100 Ом – КТ834А;
1 кОм – КТ848А

разомкнутом выводе базы:
максимальный

U КЭО =350 В
I Б =0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

U ЭБО :
5 В – КТ834А, КТ848
А, КТ890А;
6 В – КТ890А1
I К =0

Минимальный статический коэффициент
передачи тока

I K :
5 А – КТ834А, КТ890А
и КТ890А1;
15 А – КТ848А
U КЭ :
5 В – КТ834А
и КТ848А;
10 В – КТ890А
и КТ890А1

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В:
типовое

I K :
15 А – КТ834А;
10 А – КТ848А;
7 А – КТ890А
и КТ890А1
I Б :
1,5 А – КТ834А;
0,15 А – КТ848 А;
0,07 А – КТ890А
и КТ890А1

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:
типовое

Время спада коллекторного тока, мкс:
типовое

I K :
10 А – КТ834А;
7 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1
I Б :
±1 А – КТ834А;
±0,07 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1

Прямое напряжение на диоде, В:
минимальное
типовое
максимальное

Максимальное тепловое сопротивление
переход-корпус, ° С/Вт

U КЭ =20 В
I K :
5 А – КТ834А;
4,35 А – КТ848А;
5 А – КТ890А;
3 А – КТ890А1

* Температура корпуса 25 ° С

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ848А в корпусе КТ-9: 1 — база;
2 — коллектор;
3 — эмиттер

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 — по рис. 1

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А — 2: 1-3 — по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а — КТ834А: VT1, VT2 — транзисторы;
VD1 — ускоряющий диод;
VD2 — демпферный диод;
R1 — согласующий резистор 300 Ом;
R2 — согласующий резистор 40 Ом;
1-3 — по рис. 1;
б — КТ848А: VD1 — демпферный диод;
R1 — согласующий резистор 400 Ом;
R2 — согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2 — по рис. 4, а;
1-3 — по рис. 1;
в — КТ890А; КТ890А1: VD1 — стабилитрон;
R1 — согласующий резистор 400 Ом;
R2 — согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2, VD2 — по рис. 4, а;
1-3 — по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10 — 6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

Корпус Kradex Z4A позволяет выводить элементы управления и индикации, как на лицевую, так и на боковые панели. Ручки регулировки, индикатор лучше всего устанавливать на лицевую панель. Разъем для выходного напряжения можно крепить где угодно.

Собранный своими руками лабораторный блок питания с использованием мощных полевых транзисторов и импульсных трансформаторов незаменим для работы. В качестве индикаторов желательно использовать цифровые электронные ампервольтметры.

Добавить комментарий

Adblock
detector
Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения *
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
I КЭR
I КЭО


50
I ЭБО 50 h 21Э
150

20

300
U КЭ нас U БЭ нас U FD
–1,4
2
2,5
R ТП-К
1,25

1,43

1,25

2,08